FDC6301N_G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | FDC6301N_G |
Descrição: | MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | - |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 700mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SuperSOT™-6 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 25V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 220mA |
Em estoque 81 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1