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FDC855N

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FDC855N
Descrição: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série PowerTrench®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.6W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 655pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 2920 pcs

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