A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

FDD107AN06LA0

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDD107AN06LA0
Descrição:	MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	91mOhm @ 10.9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	25W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V