FDD4N60NZ
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | FDD4N60NZ |
Descrição: | MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | UniFET-II™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±25V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.7A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 114W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | DPAK |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 3.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 1460 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1