A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

FDFMA2P029Z-F106

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDFMA2P029Z-F106
Descrição:	-20V -3.1A 95 O PCH ER T
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	P-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Schottky Diode (Isolated)
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-VDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	1.4W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-MicroFET (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V