A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

FDFMA3N109

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDFMA3N109
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Schottky Diode (Isolated)
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-VDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	1.5W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-MicroFET (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V