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FDFME2P823ZT

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDFME2P823ZT
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Schottky Diode (Isolated)
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-UFDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	1.4W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-MicroFET (1.6x1.6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V