A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

FDMS1D2N03DSD

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	FDMS1D2N03DSD
Descrição:	PT11N 30/12 & PT11N 30/12
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	PowerTrench®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)