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FDMS86101E

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDMS86101E
Descrição:	FET 100V 8.0 MOHM PQFN56
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	12.4A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V