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FDN352AP

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FDN352AP
Descrição: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série PowerTrench®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 500mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores SuperSOT-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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