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FDN359BN

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDN359BN
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)	500mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SuperSOT-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V