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FDP4D5N10C

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDP4D5N10C
Descrição:	FET ENGR DEV-NOT REL
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 310µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.4W (Ta), 150W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5065pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	128A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V