Image is for reference only , details as Specifications

FDP4D5N10C

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FDP4D5N10C
Descrição: FET ENGR DEV-NOT REL
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série PowerTrench®
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 310µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5065pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 128A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 93 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.81 $3.73 $3.66
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IXTQ86N20T
IXYS
$3.8
IXTQ76N25T
IXYS
$3.8
IXTP18N60PM
IXYS
$3.79
IXFP180N10T2
IXYS
$3.78
IXTH36P10
IXYS
$3.78