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FDP8D5N10C

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FDP8D5N10C
Descrição: FET ENGR DEV-NOT REL
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série PowerTrench®
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 76A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2475pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 77 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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