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FDS3890

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: FDS3890
Descrição: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série PowerTrench®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Cut Tape (CT)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 900mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 4.7A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.7A

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