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FDT86113LZ

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FDT86113LZ
Descrição: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série PowerTrench®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.2W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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