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FGA25N120FTD

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: FGA25N120FTD
Descrição: IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 160nC
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 313W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condição de teste 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Comutação de energia 340µJ (on), 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 48ns/210ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3P
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Tempo de recuperação reverso (trr) 770ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 50A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 75A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 79 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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