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FGA30N120FTDTU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: FGA30N120FTDTU
Descrição: IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 208nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 339W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condição de teste -
Comutação de energia -
Td (on/off) @ 25°C -
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3PN
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Tempo de recuperação reverso (trr) 730ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 60A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 90A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 80 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.68 $6.55 $6.42
Mínimo: 1

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