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FGA60N65SMD

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: FGA60N65SMD
Descrição: IGBT 650V 120A 600W TO3P
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 189nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 600W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condição de teste 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Comutação de energia 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 18ns/104ns
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3P
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A
Tempo de recuperação reverso (trr) 47ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 120A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 180A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 865 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.88 $4.78 $4.69
Mínimo: 1

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