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FGD3N60UNDF

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: FGD3N60UNDF
Descrição: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT NPT
Embalagem Digi-Reel®
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 1.6nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 60W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condição de teste 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Número da parte base FGD3N60
Comutação de energia 52µJ (on), 30µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 5.5ns/22ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252, (D-Pak)
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
Tempo de recuperação reverso (trr) 21ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 6A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 9A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 1900 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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