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FJP9100TU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: FJP9100TU
Descrição: TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 40W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Tipo de transistor NPN - Darlington
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220-3
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 5mA, 2A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 4A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100µA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 500mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 275V

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