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FQB19N10LTM

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FQB19N10LTM
Descrição: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série QFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

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