FQD4N50TM_WS
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | FQD4N50TM_WS |
Descrição: | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | QFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | D-Pak |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 500V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 74 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1