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FQI2NA90TU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FQI2NA90TU
Descrição: MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série QFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.13W (Ta), 107W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores I2PAK (TO-262)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 900V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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