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FQI4N80TU

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FQI4N80TU
Descrição:	MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	QFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.13W (Ta), 130W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I2PAK (TO-262)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V