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FQU2N60CTU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FQU2N60CTU
Descrição: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série QFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 37 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.91 $0.89 $0.87
Mínimo: 1

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