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H11G1TVM

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Folha de dados: H11G1TVM
Descrição: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Série -
Embalagem Tube
Tipo de entrada DC
Tipo de saída Darlington with Base
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de canais 1
Tensão - Isolamento 4170Vrms
Vce Saturação (Max) 1V
Temperatura operacional -40°C ~ 100°C
Rise / Fall Time (Typ) -
Tensão - Saída (Max) 100V
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-DIP
Corrente - Saída / Canal -
Índice de Transferência Atual (Máximo) -
Índice de Transferência Atual (Min) 1000% @ 10mA
Tensão - Forward (Vf) (Typ) 1.3V
Ativar / Desligar o tempo (Typ) 5µs, 100µs
Atual - DC Forward (Se) (Max) 60mA

Em estoque 1230 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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