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HGT1S2N120CN

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: HGT1S2N120CN
Descrição: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT NPT
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 30nC
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 104W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Condição de teste 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Comutação de energia 96µJ (on), 355µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/205ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-262
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 13A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 20A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 60 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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