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HGTD1N120BNS9A

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: HGTD1N120BNS9A
Descrição: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT NPT
Embalagem Digi-Reel®
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 14nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 60W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condição de teste 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Número da parte base HGTD1N120
Comutação de energia 70µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252AA
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 5.3A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 6A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 5344 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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