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HGTD3N60C3S9A

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: HGTD3N60C3S9A
Descrição: IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 10.8nC
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 33W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condição de teste 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Comutação de energia 85µJ (on), 245µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252AA
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 6A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 24A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 68 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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