A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

HGTG10N120BND

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: HGTG10N120BND
Descrição: IGBT 1200V 35A 298W TO247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT NPT
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 100nC
Parte Status Not For New Designs
Potência - Máximo 298W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Comutação de energia 850µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247-3
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Tempo de recuperação reverso (trr) 70ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 35A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 80A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 784 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.04 $2.98 $2.92
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

STGP40V60F
STMicroelectronics
$2.89
IRG4BC30SPBF
Infineon Technologies
$3
IRG4BH20K-SPBF
Infineon Technologies
$2.88
2SK880-BL(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SK2394-7-TB-E
ON Semiconductor
$0