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HGTP12N60C3D

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: HGTP12N60C3D
Descrição: IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT -
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 48nC
Parte Status Not For New Designs
Potência - Máximo 104W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Condição de teste -
Número da parte base HGTP12N60
Comutação de energia 380µJ (on), 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220-3
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Tempo de recuperação reverso (trr) 40ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 24A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 96A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 67 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.87 $3.79 $3.72
Mínimo: 1

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