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HGTP5N120BND

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: HGTP5N120BND
Descrição: IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT NPT
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 53nC
Parte Status Not For New Designs
Potência - Máximo 167W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Condição de teste 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Comutação de energia 450µJ (on), 390µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/160ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220-3
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Tempo de recuperação reverso (trr) 65ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 21A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 40A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 99 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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