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MJ11016G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: MJ11016G
Descrição: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tray
Parte Status Active
Potência - Máximo 200W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-204AA, TO-3
Tipo de transistor NPN - Darlington
Temperatura operacional -55°C ~ 200°C (TJ)
Frequência - Transição 4MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-204 (TO-3)
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 30A
Atual - Corte de colecionador (Max) 1mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 120V

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