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MJD117-001

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: MJD117-001
Descrição: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.75W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo de transistor PNP - Darlington
Número da parte base MJD117
Temperatura operacional -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 25MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores I-PAK
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 2A
Atual - Corte de colecionador (Max) 20µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 100V

Em estoque 96 pcs

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