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MJD253-1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: MJD253-1G
Descrição: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.4W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo de transistor PNP
Número da parte base MJD253
Temperatura operacional -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 40MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores I-PAK
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 4A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 1V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 100V

Em estoque 821 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.75 $0.74 $0.72
Mínimo: 1

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