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MJD31C1

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: MJD31C1
Descrição: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.56W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo de transistor NPN
Número da parte base MJD31
Temperatura operacional -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 3MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores I-PAK
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 3A
Atual - Corte de colecionador (Max) 50µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 100V

Em estoque 56 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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