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MJD44H11-1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: MJD44H11-1G
Descrição: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.75W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo de transistor NPN
Número da parte base MJD44H11
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 85MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores I-PAK
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 8A
Atual - Corte de colecionador (Max) 1µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 80V

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