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MJE3055TG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: MJE3055TG
Descrição: TRANS NPN 60V 10A TO220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Active
Potência - Máximo 75W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Tipo de transistor NPN
Número da parte base MJE3055
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 2MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 10A
Atual - Corte de colecionador (Max) 700µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 60V

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