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MJE802STU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: MJE802STU
Descrição: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 40W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-225AA, TO-126-3
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número da parte base MJE802
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-126-3
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 4A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 80V

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