MUN5130DW1T1G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Folha de dados: | MUN5130DW1T1G |
Descrição: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Série | - |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Número da parte base | MUN51**DW1T |
Resistor - Base (R1) | 1kOhms |
Frequência - Transição | - |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistor - Base de Emissores (R2) | 1kOhms |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 500nA |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 85 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1