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MVB50P03HDLT4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: MVB50P03HDLT4G
Descrição: INTEGRATED CIRCUIT
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101
Fet tipo P-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±15V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 25A, 5V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D2PAK-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4.9nF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V

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