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NCV1413BDR2G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Folha de dados: NCV1413BDR2G
Descrição: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo -
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de transistor 7 NPN Darlington
Número da parte base NCV1413
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores 16-SOIC
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 500mA
Atual - Corte de colecionador (Max) -
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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