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NDD60N900U1-1G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | NDD60N900U1-1G |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4 |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | - |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tube |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 74W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | I-PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 50V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 99 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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