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NDS356P

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	NDS356P
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)	500mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SuperSOT-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V