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NGTB15N60S1EG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: NGTB15N60S1EG
Descrição: IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT NPT
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 88nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 117W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Condição de teste 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Comutação de energia 550µJ (on), 350µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 65ns/170ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 15A
Tempo de recuperação reverso (trr) 270ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 30A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 120A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 92 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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