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NGTB30N120FL2WG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: NGTB30N120FL2WG
Descrição: IGBT 1200V 60A 452W TO247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 220nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 452W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Comutação de energia 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 98ns/210ns
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Tempo de recuperação reverso (trr) 240ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 60A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 120A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 42 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.24 $6.12 $5.99
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