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NGTB50N120FL2WG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: NGTB50N120FL2WG
Descrição: IGBT 1200V 100A 535W TO247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 311nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 535W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Comutação de energia 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 118ns/282ns
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Tempo de recuperação reverso (trr) 256ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 200A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 72 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.88 $5.76 $5.65
Mínimo: 1

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