Image is for reference only , details as Specifications

NGTD13T65F2WP

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: NGTD13T65F2WP
Descrição: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Bulk
Tipo de entrada Standard
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso Die
Condição de teste -
Comutação de energia -
Td (on/off) @ 25°C -
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores Die
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 120A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 61 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.10 $1.08 $1.06
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

FGPF50N30TTU
ON Semiconductor
$1.25
IKB03N120H2ATMA1
Infineon Technologies
$1.27
ISL9V3040S3ST-F085C
ON Semiconductor
$1.25
IRGS4B60KD1TRRP
Infineon Technologies
$1.24
IRG4BC20FDPBF
Infineon Technologies
$1.41