A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto
NGTD13T65F2WP
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - IGBTs - Single |
| Folha de dados: | NGTD13T65F2WP |
| Descrição: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoria de produto | Transistors - IGBTs - Single |
| Série | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Embalagem | Bulk |
| Tipo de entrada | Standard |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | Die |
| Condição de teste | - |
| Comutação de energia | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
| Vce (em) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) | 120A |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 650V |
Em estoque 61 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.10 | $1.08 | $1.06 |
Mínimo: 1
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