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NJVBDX53C

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: NJVBDX53C
Descrição: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 65W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número da parte base BDX53
Temperatura operacional -
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 8A
Atual - Corte de colecionador (Max) 500µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 100V

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