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NJVMJD31CT4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: NJVMJD31CT4G
Descrição: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série Automotive, AEC-Q101
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo 1.56W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 3MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores DPAK
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 3A
Atual - Corte de colecionador (Max) 50µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A, 4V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 100V

Em estoque 50 pcs

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